供应商信息

第 12 年

联系人：邹中平先生

移动电话： 13690075887

电话： 15363379544

公司认证： [已认证]

诚信指数： 225

经营范围：经营废锆,回收废氧化锆,求购氧化锆陶瓷废料,陶瓷锆砂,其它氧化物耐火再生料。供应:碳化硅板碎，氧化锆粉,陶瓷锆砂,锆磨介(珠),二氧化锆,联系电话：13690075887

所在地区：广东潮州

所在市场：

收藏商铺

产品分类

供求搜索

友情链接

在线留言

有什么疑问或者想说的话，
可以在这里留言哦！

您所在的位置：首页 > 公司动态 > 详细介绍

碳化硅半导体材料功率器件的特点和发展状况

时间：2016-06-07 作者：91再生来源：91再生网

碳化硅半导体材料功率器件的特点

　　碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。

　　它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。

　　其优点是：

　　(1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。

　　(2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。

　　(3)碳化硅有高的热导率，因此碳化硅功率器件有低的结到环境的热阻。

　　(4)碳化硅器件可工作在高温，碳化硅器件已有工作在600?C的报道，而硅器件的最大工作温度仅为150?C.

　　(5)碳化硅具有很高的抗辐照能力。

　　(6)碳化硅功率器件的正反向特性随温度和时间的变化很小，可靠性好。

　　(7)碳化硅器件具有很好的反向恢复特性，反向恢复电流小，开关损耗小。碳化硅功率器件可工作在高频(>20KHz)。

　　(8)碳化硅器件为减少功率器件体积和降低电路损耗作出了重要贡献。

　　碳化硅的不足是：

　　碳化硅圆片的价格还较高,碳化硅废料的缺陷也多。

对于碳化硅的前景，2004年就有人在分析了SiC半导体材料在功率半导体器件各种杰出成果后，写文章预言：“2010年碳化硅器件将主宰功率半导体市场”。现今2010年早已过去三年，实际并不尽然，显然和“预言”相差甚远。

碳化硅半导体材料功率器件的发展状况：

　　(1)国外情况

　　2013年的PCIMAsia电力电子展览会上三菱电机展出了多种SiC功率器件，应该说这些产品代表了当前SiC功率器件的国际水平。其中用于工业设备的产品有：

　　1200V/75A混合碳化硅-IPM、1200V/800A全碳化硅模块、600V/200A混合碳化硅IPM，以及1700V/1200A混合碳化硅-HVIGBT。

　　碳化硅功率器件的市场领先者专家公司推出全新产品系列-50A碳化硅功率器件。包括：

　　“1200VZ-FET”、“1700VZ-FET”碳化硅MOSFET器件和50A/1700V、50A/1200V和50A/650V三款Z-Rec?碳化硅肖特基二极管。

　　专家表示："正是专家通过不断的创新，以及专家在碳化硅领域独创的材料技术、晶圆片工艺和器件设计，才使得这样技术突破得以实现。从而能够取代在大功率、高电压应用领域中的低效传统硅IGBT器件。"

　　尽管如此，从电流和电压参数来说上述产品远远不及相应的Si半导体器件水平。

　　(2)国内情况

　　国内近年来西安理工大学、西安电子科技大学微电子所、中科院半导体所等单位一直坚持不懈进行碳化硅材料及碳化硅废料的研究，但从市场上市产品来看，多数为SiC肖特基二极管、其参数大致范围为：击穿电压为600V、1200V、1700V等级别。以工作电流分：

　　1A,2A,3A,4A,5A,6A,8A,10A,20A(击穿电压600V)

　　2A,5A,10A,20A,30A,40A(击穿电压1200V)

　　也有报道已有碳化硅场效应管问世，但未查到实际产品。

　　与国外相比，有不小的差距。碳化硅、碳化硅废料材料的进展已使部分碳化硅功率器件用于实际成为可能。但还有许多关键的技术问题需要解决。

推荐相关阅读：碳化硅市场整体处平稳，碳化硅废料市场价格高低不一

上一篇: 碳化硅涂层的原理、特点、参数、

下一篇: 碳化硅市场整体处平稳，碳化硅废

>>返回公司动态